窒化物半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041793
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237932
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなるレーザ素子のしきい値電流を下げて室温での連続発振を目指す。【構成】 n型クラッド層とp型クラッド層との間に、それらのクラッド層よりも幅の狭いストライプ状の発振領域を有する活性層を有し、該活性層のストライプの両側面側に、活性層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる電流阻止層が設けられていることにより、実質的に屈折率導波型のレーザ素子となるためしきい値電流が下がり、さらに単一モードのレーザ光が得られる。

請求項（抜粋）：

n型クラッド層とp型クラッド層との間に、それらのクラッド層よりも幅の狭いストライプ状の発振領域を有する活性層を有し、該活性層のストライプの両側面側に、活性層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる電流阻止層が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-219090
特開平2-219090
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-305257 出願人：旭化成工業株式会社

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