製膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-006755
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211651
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】枚葉型のプラズマCVD装置においてガスクリーニングによる残留成分の影響を排除して生産性を維持する。【構成】絶縁層の一部または全部と不純物を含まない非晶質シリコン層とを一つの反応室で連続して処理する。【効果】絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを構成するゲート絶縁層と不純物を含まない非晶質シリコン層との界面の残留ガス成分が絶縁層の堆積によって低下し、良好な電気特性が確保される。

請求項（抜粋）：

堆積、ガスクリーニング、予備堆積のサイクルで運転される少なくとも1個以上の反応室と、加熱室と、基板の出し入れのための真空待機室と、装置中心に位置し前記各室との間で基板を受渡しする機構を備えた搬送室と、前記各処理室と搬送室との間にゲートバルブを有する枚葉処理の製膜装置において、シラン系ガスを主材料として絶縁層と不純物を殆ど含まない非晶質シリコンとを含む多層膜の作製にあたり、絶縁層と非晶質シリコン層とが一つの反応室内で連続して形成されることを特徴とする製膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , G02F 1/136 500 , H01L 21/31 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/31 C , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-302147
特開平4-063414
薄膜の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-209760 出願人：アルプス電気株式会社

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