特許
J-GLOBAL ID：200903048782766099

半導体装置とその製造方法

発明者：
藤澤 知隆

藤澤 知隆 について

, 
荒井 千広

荒井 千広 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118530
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312021
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 フォトダイオード素子と他の半導体素子を有する半導体装置において、回路素子ないしは回路相互の干渉およびラッチアップ等による誤動作を防止する【解決手段】 共通の半導体基体1上に、フォトダイオード素子PDと、フォトダイオード素子以外の少なくとも1つの半導体素子が形成されて成る半導体装置であって、半導体基体1が、第1導電型の低不純物濃度半導体層2を有し、この低不純物濃度半導体層2の、上記フォトダイオード素子PD以外の半導体素子の形成部に、この低不純物濃度半導体層2に比し高不純物濃度の第1導電型の高不純物濃度領域3が形成され、低不純物濃度半導体層2の、高不純物濃度領域3の形成部以外における低不純物濃度半導体層2と、この低不純物濃度半導体層2上に形成された第2導電型領域とによってフォトダイオード素子が形成された構成とする。
請求項（抜粋）：
共通の半導体基体上に、受光素子と、受光素子以外の少なくとも1つの半導体素子が形成されて成る半導体装置であって、上記半導体基体が、第1導電型の低不純物濃度半導体層を有し、該低不純物濃度半導体層の上記半導体素子の形成部に、該低不純物濃度半導体層に比し高不純物濃度の第1導電型の高不純物濃度領域が形成され、上記低不純物濃度半導体層の、上記高不純物濃度領域の形成部以外における低不純物濃度領域と、該低不純物濃度領域上に形成された第2導電型領域とによって上記受光素子が構成されて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 31/10 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8224 ,  H01L 27/082 ,  H01L 21/8228 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73
FI (7件)：
H01L 31/10 A ,  H01L 21/76 N ,  H01L 21/94 A ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/08 101 V ,  H01L 27/08 101 C ,  H01L 29/72
Fターム (47件)：
4M108AB04 ,  4M108AB09 ,  4M108AB13 ,  4M108AB36 ,  4M108AD11 ,  4M108AD14 ,  4M108AD16 ,  5F003BA93 ,  5F003BA97 ,  5F003BB06 ,  5F003BB08 ,  5F003BC01 ,  5F003BC08 ,  5F003BJ03 ,  5F003BJ12 ,  5F003BM01 ,  5F003BN01 ,  5F003BP21 ,  5F003BP31 ,  5F003BZ01 ,  5F032AA13 ,  5F032AC01 ,  5F032BA01 ,  5F032BB03 ,  5F032CA15 ,  5F032CA18 ,  5F032CA20 ,  5F049MA02 ,  5F049MB12 ,  5F049PA03 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049RA06 ,  5F049RA10 ,  5F049SS03 ,  5F082AA27 ,  5F082AA35 ,  5F082BA04 ,  5F082BA07 ,  5F082BA22 ,  5F082BA26 ,  5F082BA50 ,  5F082BC04 ,  5F082BC11 ,  5F082BC20 ,  5F082EA09 ,  5F082EA33
引用特許：
審査官引用 (3件)

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