特許
J-GLOBAL ID：200903048809652171
裏面入射型受光装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-321913
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150923
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】受光素子の光吸収層部に信号光を斜めに入射すると共に、入射した信号光をさらに反射させ、より小さい素子面積で光吸収層に効率的に信号光を導入することが可能で、素子の高速化と高効率化をはかることができる裏面入射型受光装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】裏面入射型受光装置であって、半導体受光素子と、受光素子の側部に独立して形成した単数もしくは複数の凹状の斜面反射部とを少なくとも備え、基板の裏面から入射した信号光が、斜面反射部で反射し、基板面に対し斜め方向から受光素子に入射する構造にする。基板の厚さをT、斜面反射部の深さをD、斜面反射部で反射され受光素子へ入射する光の入射方向と基板面とのなす角度をθ′とした場合に、光吸収層の斜面反射部側の端部と斜面反射部の最深部との水平距離zを、z<T/(10・tanθ′)の範囲とする。
請求項（抜粋）：
裏面入射型受光装置であって、半導体基板上に形成された半導体受光素子と、上記基板表面に、上記受光素子の側部に独立して形成された単数もしくは複数の凹状の斜面反射部とを少なくとも備え、上記基板の裏面から入射した信号光が上記斜面反射部で反射し、基板面に対し斜め方向から上記受光素子に入射する構造に、上記受光素子および上記斜面反射部を配設してなることを特徴とする裏面入射型受光装置。
Fターム (7件)：
5F088AA01
, 5F088AB07
, 5F088BA01
, 5F088CB14
, 5F088GA05
, 5F088GA07
, 5F088LA01
