特許
J-GLOBAL ID：200903048831278135
量子ドットの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239194
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087689
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 量子ドットの製造方法に関し、原料交互供給法を採用して量子ドットを成長させる場合、1.3〔μm〕帯で発光するInGaAs量子ドットを高密度で、且つ、均一に成長できるようにする。【解決手段】 第1の格子定数をもつ半導体下地であるGaAsバッファ層31上に三族有機金属原料と五族原料を交互に供給する工程を繰り返して第1の格子定数と異なる第2の格子定数をもつ三族-五族半導体薄膜、即ち、InGaAs濡れ層32、InGaAs濡れ層34などを形成し、量子ドット32A、量子ドット34Aなどを生成させる過程に於いて、厚さがD(D≧10〔nm〕)以上である第1の格子定数を有する半導体層であるGaAsスペーサ層33を挟んで量子ドットの生成をM(M>1)回繰り返す。
請求項（抜粋）：
第1の格子定数を有する半導体下地上に三族有機金属原料と五族原料を交互に供給する工程を繰り返して第1の格子定数と異なる第2の格子定数の有する三族-五族半導体薄膜を形成して量子ドットを生成させる過程に於いて、厚さがD(D≧10〔nm〕)以上である第1の格子定数を有する半導体層を挟んで量子ドットの生成をM(M>1)回繰り返すことを特徴とする量子ドットの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/66
, H01L 21/20
, H01S 3/18
H01L 29/66
, H01L 21/20
, H01S 3/18
