特許

J-GLOBAL ID：200903048838722707

半導体装置の製造方法

発明者： 廣田 俊幸 ,  岡村 健司 ,  佐藤 史英
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305530
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145419
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 エッチングの際にエンドポイントを検出し、エッチングの深さを容易に制御する。【解決手段】 ストリッジ電極16とは異なる材料によって形成されるとともに、ストリッジ電極16のエッチングの際にエッチングストッパとして機能することのない程度の膜厚のエンドポイントマーカ層10,12を、ストリッジ電極16の途中に上下を分離するようにして形成し、ストリッジ電極16をエッチングする際には、エッチングされた物質をモニタし、その濃度変化に基づいてエッチングの深さを制御する。

請求項（抜粋）：

ストリッジ電極を有するキャパシタを、半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法において、前記ストリッジ電極とは異なる材料によって形成されるとともに、前記ストリッジ電極のエッチングの際にエッチングストッパとして機能することのない程度の膜厚のエンドポイントマーカ層を、前記ストリッジ電極の途中に上下を分離するようにして形成し、前記ストリッジ電極をエッチングする際には、エッチングされた物質を検出し、その濃度変化に基づいてエッチングの深さを制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/302 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-074089   出願人：日本電気株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-270062   出願人：九州日本電気株式会社
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-260212   出願人：三菱電機株式会社