電圧駆動型バイポ-ラ半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：東島隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000760
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200791
出願日： 1999年01月05日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】バイポーラトランジスタでは、オン抵抗は低いが、ベースの駆動電力は大きい。駆動電力が小さくかつオン抵抗の低い高電圧半導体素子を実現する。【解決手段】バイポーラトランジスタのコレクタ領域にFETのゲート領域を形成し、その上にチャネル領域を形成する。チャネル領域には絶縁膜を介してゲート電極を形成している。チャネル領域内にFETのソース領域を形成し、このソース領域とバイポーラトランジスタのベース領域とをベース電極で接続している。

請求項（抜粋）：

第1の導電型のコレクタ領域、このコレクタ領域内に形成した第2の導電型のベース領域、及び前記ベース領域内に形成した第1の導電型のエミッタ領域、を有するバイポーラ半導体装置、前記バイポーラ半導体装置のコレクタ領域内に形成した埋め込みゲート領域、及び前記埋め込みゲート領域の上に形成したソース領域を有する蓄積型の電圧駆動半導体装置、及び前記蓄積型の電圧駆動半導体装置のソース領域と前記バイポーラ半導体装置のベース領域とを接続するベース電極を備える電圧駆動型バイポーラ半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 29/78 654 Z

Fターム (11件)：

5F003AP06 , 5F003BB02 , 5F003BC01 , 5F003BF03 , 5F003BG03 , 5F003BH12 , 5F003BH18 , 5F003BJ16 , 5F003BM01 , 5F003BN00 , 5F003BZ04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-025971
炭化けい素縦型FET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-183721 出願人：富士電機株式会社
特開昭52-095984

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