特許
J-GLOBAL ID：200903048905214800

半導体式ガス検知素子

発明者：
皆越 知世

皆越 知世 について

, 
前川 亨

前川 亨 について

, 
中村 俊一

中村 俊一 について


出願人/特許権者：
新コスモス電機株式会社

新コスモス電機株式会社 について


代理人 (3件)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也 ,  太田 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-081595
公開番号（公開出願番号）：特開2008-241430
出願日： 2007年03月27日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】長期間に亘ってガス選択性を有する半導体式ガス検知素子を提供する。【解決手段】ガス感応部2と、ガス感応部2を被覆する触媒層3とを備える半導体式ガス検知素子Rsであって、触媒層3は、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化セリウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属酸化物を含む金属酸化物半導体に、セリウム、スズ、アルミニウム、ランタン、ニオブ、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、ネオジム、ガドリニウム、バナジウム、シリコン、マグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属元素を固溶させた金属複合酸化物を含有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガス感応部と、当該ガス感応部を被覆する触媒層とを備える半導体式ガス検知素子であって、 前記触媒層は、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化セリウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属酸化物を含む金属酸化物半導体に、セリウム、スズ、アルミニウム、ランタン、ニオブ、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、ネオジム、ガドリニウム、バナジウム、シリコン、マグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属元素を固溶させた金属複合酸化物を含有する半導体式ガス検知素子。
IPC (2件)：
G01N 27/12 ,  G01N 27/18
FI (3件)：
G01N27/12 C ,  G01N27/12 B ,  G01N27/18
Fターム (55件)：
2G046AA05 ,  2G046AA24 ,  2G046BA02 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BC03 ,  2G046BE02 ,  2G046BE07 ,  2G046BE08 ,  2G046BF01 ,  2G046DB05 ,  2G046DC14 ,  2G046DD01 ,  2G046EA03 ,  2G046EA04 ,  2G046EA10 ,  2G046EA12 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE12 ,  2G046FE15 ,  2G046FE18 ,  2G046FE20 ,  2G046FE22 ,  2G046FE24 ,  2G046FE35 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE44 ,  2G046FE45 ,  2G046FE47 ,  2G046FE48 ,  2G046FE49 ,  2G060AA01 ,  2G060AB03 ,  2G060AB21 ,  2G060AE19 ,  2G060AF02 ,  2G060AF07 ,  2G060AG01 ,  2G060AG15 ,  2G060BA01 ,  2G060BA05 ,  2G060BB09 ,  2G060BB16 ,  2G060BB18 ,  2G060HA01 ,  2G060HB06 ,  2G060HC10 ,  2G060HC18 ,  2G060HD03 ,  2G060HE01 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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