特許
J-GLOBAL ID：200903048946470625
保護形スイッチ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-513059
公開番号（公開出願番号）：特表平9-507369
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】保護形スイッチは、負荷を第1及び第2電圧供給ライン(2及び3)間に結合させるための第1及び第2主電極(D及びS)と、制御電圧供給ライン(4)に結合された制御電極(G)と、動作時に第1び第2主電極(D及びS)間を流れる電流を表すセンス電流を第1主電極(D)との間に流すセンス電極(S1)とを有するパワー半導体デバイス(P)を有する。制御回路(5)は、センス電極(S1)に結合されセンス電流(I3)によりその両端間にセンス電圧を発生するセンス抵抗(R4)を有する。制御半導体デバイス(M3)はパワー半導体デバイス(P)の制御電極(G)及び第2主電極(S)間に結合された第1及び第2主電極を有する。半導体デバイス(M2)は一方の主電極(d)が制御半導体デバイス(M3)の制御電極(g)に結合され、他方の主電極(s)がセンス抵抗(R4)に結合される。基準回路(50)が半導体デバイス(M2)の制御電極(g)にバイアス電圧(Vb)を供給し、半導体デバイス(M2)を十分に導通させて制御半導体デバイス(M3)を非導通にし、センス電圧がバイアス電圧により決まる基準電圧Vrefに到達するとき、半導体デバイス(M2)の導通を低下させて制御半導体デバイス(M3)の導通を開始させ、パワー半導体デバイスPの制御電極(G)の電圧を低下させ、従ってパワー半導体デバイス(P)を流れる電流を減少させる。
請求項（抜粋）：
負荷を第1及び第2電圧供給ライン間に結合させるための第1及び第2主電極と、制御電圧供給ラインに結合された制御電極と、動作時に第1び第2主電極間を流れる電流を表すセンス電流を第1主電極との間に流すセンス電極とを有するパワー半導体デバイスと、制御回路とを具え、該制御回路はセンス電極に結合されセンス電流によりその両端間にセンス電圧を発生するセンス抵抗と、前記パワー半導体デバイスの制御電極及び第2主電極間に結合された第1及び第2主電極及び制御電極を有する制御半導体デバイスと、第1及び第2主電極及び制御電極を有し、一方の主電極が前記制御半導体デバイスの制御電極に結合され、他方の主電極がセンス抵抗に結合された半導体デバイスと、この半導体デバイスの制御電極にバイアス電圧を供給する基準手段とを具え、このバイアス電圧の供給により前記半導体デバイスを十分に導通させて前記制御半導体デバイスを非導通にし、センス電圧がバイアス電圧により決まる基準電圧Vに到達するとき、前記半導体デバイスの導通を低下させて前記制御半導体デバイスの導通を開始させ、前記パワー半導体デバイスの制御電極の電圧を減少させ、従って前記パワー半導体デバイスを流れる電流を減少させるように構成されていることを特徴とする保護形スイッチ。
IPC (3件)：
H03K 17/08
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H03K 17/08 C
, H01L 27/08 321 H
