特許

J-GLOBAL ID：200903048967516706

半導体装置及びその製造方法

発明者： 諸岡 哲 ,  藤原 実 ,  青木 伸俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-379187
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180402
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】トランジスタ毎の閾値制御が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】所定の電位に固定された支持基板と、前記支持基板上に形成された絶縁層としてのBOX層と、前記BOX層上に形成された半導体層としてのSOI層と、前記SOI層に形成されたソース・ドレイン領域及び前記ソース・ドレイン領域に挟まれたチャネル領域とを有する完全空乏層型トランジスタと、前記支持基板の表面近傍に形成され、前記チャネル領域の直下に形成された不純物高濃度領域とを備え、前記不純物高濃度領域における不純物濃度が、前記チャネル領域における不純物濃度以上であることを特徴とする半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の電位に固定された支持基板と、 前記支持基板上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層上に形成された半導体層と、 前記半導体層に形成されたソース・ドレイン領域及び前記ソース・ドレイン領域に挟まれたチャネル領域とを有する完全空乏層型トランジスタと、 前記支持基板の表面近傍に形成され、前記チャネル領域の直下に形成された不純物高濃度領域とを備え、 前記不純物高濃度領域における不純物濃度が、前記チャネル領域における不純物濃度以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (4件)：

H01L29/78 626C ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102A ,  H01L29/78 613Z

Fターム (29件)：

5F048AC01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB03 ,  5F048BB15 ,  5F048BB18 ,  5F048BD10 ,  5F048BG07 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F110AA04 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD24 ,  5F110EE32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN65 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-105487   出願人：ソニー株式会社
• 完全空乏型SOIトランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-250961   出願人：ソニー株式会社