特許
J-GLOBAL ID：200903048996767408
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122475
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315768
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】シリコン柱上にゲート絶縁膜を形成する際に、シリコン柱の上端角部におけるゲート絶縁膜の薄膜化を防止すること。【解決手段】オゾン/酸素混合ガス(オゾン5%)を導入しながら、850°C、40分、130Paの条件で熱処理を行い、露出したシリコン柱3の表面にゲート酸化膜5を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコンからなり、角部を有する立体パターンを形成する工程と、前記立体パターンの前記角部を含む領域をオゾンまたは酸素ラジカルを含む雰囲気で酸化してシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上に導電膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
Fターム (11件)：
5F038AC03
, 5F038AC05
, 5F038AC10
, 5F038AC15
, 5F038AC18
, 5F038DF05
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ16
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
