特許
J-GLOBAL ID：200903037123071073
窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035927
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289358
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 GaAlInN系化合物半導体レーサ素子は、エッチングの面内均一性が悪いため、エッチングのばらつきによる電子注入不良や活性層の品質劣化の問題が有り、屈折率分布をもつ光導波路構造をもつ、高効率、且つ作成歩留まりの高い窒化ガリウム系半導体レーザ素子の作製をすることは困難であった。【解決手段】 本発明にかかる半導体レーザ素子は、だいお導電型上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状の形成の手段として、選択成長法を用いた場合には、リッジストライプ外側の上部クラッド層の膜厚制御性に優れており、化合物半導体レーザ素子の特性のばらつきが改善される。
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の導電型下部クラッド層、活性層、第2の導電型上部クラッド層をこの順に積層したGa<SB>x</SB>Al<SB>y</SB>In<SB>1-x-y</SB>N(0<x≦1、0≦y<1、X+Y≦1)からなる化合物半導体レーザ素子において、前記第2の導電型上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状であることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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