特許
J-GLOBAL ID：200903049030247145
化合物半導体多重歪量子井戸構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187721
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032176
出願日： 1994年07月18日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】生産性に優れ、一定厚さ当りの量子井戸層数を多くでき、しかも歪み量を大きくしても量子井戸層に結晶欠陥が発生し難い構造を有する、光学的特性に優れた多重歪量子井戸構造を提供する。【構成】化合物半導体多重歪量子井戸構造は、化合物半導体基板10上に形成された、化合物半導体結晶から成る量子井戸層20、並びに、化合物半導体結晶から成る第1のバリア層22及び第2のバリア層24を1周期として、これらの3層を複数積層した構造を有する化合物半導体多重歪量子井戸構造である。そして、第1及び第2のバリア層のバンドギャップは量子井戸層のバンドギャップよりも大きく、第1のバリア層22の格子定数a1は量子井戸層20の格子定数aWと異なり、第2のバリア層24の格子定数a2は、化合物半導体基板の格子定数a0と同じである。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に形成された、化合物半導体結晶から成る量子井戸層、並びに、化合物半導体結晶から成る第1のバリア層及び第2のバリア層を1周期として、これらの3層を複数積層した構造を有する化合物半導体多重歪量子井戸構造であって、第1及び第2のバリア層のバンドギャップは、量子井戸層のバンドギャップよりも大きく、第1のバリア層の格子定数は、量子井戸層の格子定数と異なり、第2のバリア層の格子定数は、化合物半導体基板の格子定数と同じであることを特徴とする化合物半導体多重歪量子井戸構造。
引用特許：
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