特許
J-GLOBAL ID:200903049033131598

超電導磁石装置及びその着磁調整方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-092043
公開番号(公開出願番号):特開平9-260129
出願日: 1996年03月21日
公開日(公表日): 1997年10月03日
要約:
【要約】【課題】磁束の経時変化が少なく、クエンチ現象にも強く、小型で、精度の高い超電導磁石装置と、この超電導磁石装置を均質に着磁する着磁調整方法を提供する。【解決手段】本発明の超電導磁石装置は、冷媒容器と、冷媒容器中に配置され、均一磁場領域(FOV)に磁束を発生させる永久電流の保持媒体と超電導複合板材(ML)を用いた複数個の円筒体からなる静磁場発生手段と、複数個の円筒体を支持する円筒体支持台と、各円筒体に埋込んだ温度調節素子(図67には図示せず。)とを有し、静磁場発生手段の着磁は誘導着磁にて行われ、その着磁値は温度調節素子で円筒体の温度を制御することにより調節される。
請求項(抜粋):
内容物を超電導状態に冷却できる冷却容器と、該冷却容器中に配置され、予め定められた磁場領域(以下、均一磁場領域という。)にその中心軸に沿った磁束を発生させる電流の保持媒体となる超電導複合体を含む静磁場発生手段と、該静磁場発生手段を前記冷却容器中に保持する保持手段とを含み、前記超電導複合体が温度調節素子を有する超電導磁石装置において、前記静磁場発生手段の着磁を誘導着磁にて行い、その着磁値を前記温度調節素子により前記超電導複合体の温度を制御することにより調節可能にしたことを特徴とする超電導磁石装置。
IPC (2件):
H01F 6/00 ZAA ,  H01F 13/00
FI (2件):
H01F 7/22 ZAA A ,  H01F 13/00 B
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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