特許
J-GLOBAL ID：200903049064328896

半導体微粒子層、光電変換素子及び光電池

発明者：
吉川 将

吉川 将 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-017634
公開番号（公開出願番号）：特開2003-217693
出願日： 2002年01月25日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高い空隙率及び膜強度を有する半導体微粒子層を作製する方法、この方法で作製された半導体微粒子層、並びに該半導体微粒子層を用いた光電変換素子及び光電池を提供する。【解決手段】 半導体微粒子層の作製方法は、半導体微粒子及びシクロデキストリン類を含有する分散液を用いる。光電変換素子の作製方法は、半導体微粒子層に色素を吸着させることを特徴とする。また、光電変換素子はこの方法で作製されたものであり、光電池はかかる光電変換素子を用いたものである。使用するシクロデキストリン類は、少なくとも2つのシクロデキストリン骨格が連結した化合物であるのが好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体微粒子及びシクロデキストリン類を含有する分散液を用いることを特徴とする半導体微粒子層の作製方法。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (11件)：
5F051AA14 ,  5F051BA14 ,  5F051CB29 ,  5F051FA02 ,  5F051GA02 ,  5F051HA04 ,  5F051HA20 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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