特許
J-GLOBAL ID：200903049071233574
オージェ電子分光法による絶縁性試料の分析方法
出願人/特許権者：
三星電子株式会社
三星電子株式会社 について
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104672
公開番号（公開出願番号）：特開平10-104180
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 電子ビームによるチャージアップを防止して、絶縁性試料に対してもオージェ電子分光法による試料分析ができるようにする。これによって、絶縁性試料の正確な表面分析を可能にし、AES分析を包括的に半導体試料に適用できるようにする。【解決手段】 絶縁膜質を含む試料12の表面に、所定の膜厚を有する導電膜10を蒸着して、オージェ電子分光分析を行う。
請求項（抜粋）：
オージェ電子分光法によって絶縁性試料の表面を定性及び定量分析する分析方法において、電子ビームによるチャージアップが発生しないよう、絶縁性層を有する試料の表面に所定の膜厚を有する導電膜を蒸着して前記試料の分光分析を行う、オージェ電子分光法による絶縁性試料の分析方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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