特許

J-GLOBAL ID：200903049081745654

半導体装置の製造方法

発明者： 吉田 貞之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347825
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151531
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 素子搭載面のみを樹脂封止した半導体装置において、作業性良く樹脂封止することができ、樹脂に気泡やクラックが発生することがない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 多数のセラミック基体を形成したシート状のセラミック基板10にぞれぞれ半導体チップ6を搭載、ボンディングワイヤ7を接続し、このセラミック基板10をモールド金型12の上型13に真空吸着する。モールド金型12の下型14のキャビティー15に液状樹脂18を供給した状態で、下型14を上昇させ上下金型13、14をクランプ、加圧した状態で液状樹脂18を熱硬化させる。

請求項（抜粋）：

セラミック基体の上面に半導体チップを搭載し、前記セラミック基体のチップ搭載面のみを樹脂封止した半導体装置の製造方法であって、多数のセラミック基体を形成したシート状のセラミック基板にそれぞれ半導体チップを搭載する工程と、前記セラミック基板をモールド金型の第1の金型にセットする工程と、前記第1の金型と対向する第2の金型に形成したキャビティー内に液状樹脂を供給する工程と、前記モールド金型をクランプし、前記液状樹脂を熱硬化させて前記セラミック基板の素子搭載面のみを樹脂で封止する工程と、前記樹脂及びセラミック基板を切断し、個々の半導体装置に分離する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/26 ,  B29K101:10 ,  B29L 31:34

FI (5件)：

H01L 21/56 T ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/26 ,  B29K101:10 ,  B29L 31:34

Fターム (23件)：

4F202AA49 ,  4F202AH33 ,  4F202AJ02 ,  4F202AJ06 ,  4F202CA11 ,  4F202CB01 ,  4F202CB12 ,  4F202CB17 ,  4F202CN01 ,  4F202CQ01 ,  4F206AA49 ,  4F206AH33 ,  4F206AJ02 ,  4F206AJ06 ,  4F206JA07 ,  4F206JB12 ,  4F206JB17 ,  4F206JQ81 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電子装置とその製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-139072   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-311655   出願人：アピックヤマダ株式会社