電子装置とその製造方法およびその製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139072
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148392
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】上下金型でセラミック基板を挟んで加圧しても、その加圧力を緩衝し、歪み力が発生せず、セラミック基板のクラックや割れの発生を防止した半導体装置などの電子装置とその製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】セラミック基板(32)の周囲で、かつ表面側及び裏面側から選ばれる少なくとも一方の面に一体化した金属薄膜(2)を備えた前記セラミック基板を、トランスファーモールド金型のキャビティ(38)の内部と外部とにまたがって配置するとともに、前記金型の上金型(30)と下金型(31)とが当接する位置に前記金属薄膜(2)を配置する。

請求項（抜粋）：

セラミック基板の上に複数組の電子部品を搭載し、前記電子部品を熱硬化性樹脂でトランスファー封止成形した電子装置であって、前記セラミック基板の周囲で、かつ前記セラミック基板の表面側及び裏面側から選ばれる少なくとも一方の面に前記セラミック基板と一体化した金属薄膜を備えたことを特徴とする電子装置。

IPC (3件)：

H01L 21/56 , H01L 23/13 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 21/56 T , H01L 23/28 Z , H01L 23/12 C

Fターム (9件)：

4M109AA01 , 4M109BA04 , 4M109CA21 , 4M109DB14 , 5F061AA01 , 5F061BA04 , 5F061CA21 , 5F061CB03 , 5F061DB01

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-262160 出願人：三洋電機株式会社
特開昭62-112333
特開昭62-112333

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