特許

J-GLOBAL ID：200903049089519025

減圧CVD装置

発明者： 中村 直人
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182020
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014773
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】ウェーハが減圧反応ガス雰囲気の反応室で加熱処理される減圧CVD装置に於いて、反応室開閉時に排気系からパーティクル、或はNH4 Cl等の汚染物質の混入がない様にしたものである。【構成】反応室9に連通する排気系のメインバルブ14にバイパスさせ、過加圧防止ライン21を設け、前記メインバルブ閉時に前記過加圧防止ラインより所要流量を吸引する様構成し、排気系に常時ガスの流れを形成し、反応室の開閉時に反応室雰囲気の乱れが生じても排気系からパーティクル、或はNH4 Cl等の汚染物質が混入することを抑制する。

請求項（抜粋）：

ウェーハが減圧反応ガス雰囲気の反応室で加熱処理される減圧CVD装置に於いて、前記反応室に連通する排気系のメインバルブにバイパスさせ、過加圧防止ラインを設け、前記メインバルブ閉時に前記過加圧防止ラインより所要流量を吸引する様構成したことをことを特徴とする減圧CVD装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-069249   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-068770
  
• 縦型減圧気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-353904   出願人：山口日本電気株式会社