変化した材料の特性測定に対する光技術

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村元彦 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-533597
公開番号（公開出願番号）：特表平11-511240
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】イオン注入特性測定システム(10)は、制御装置(16)によって全て操作されるパルスポンプビーム源(12)と、プローブビーム源(14)とを含む。複数のミラー(18、20)及び(22、24)が、レンズ(26)として示されるフォーカス光学素子にポンプ及びプローブパルス(12a、14a)をそれぞれ向けるために使用される。レンズ(26)は、特性を測定するイオン注入サンプル(30)の表面(30a)にフォーカスパルスビーム(28)を供給する。ビーム遮断器(32)は、ポンプビームの反射された部分(32a)を止めるために使用され、光検出器(34)は、サンプル(30)の表面(30a)から反射するプローブビームの一部と、パルス化プローブビームの反射された部分とを受け取るために使用される。

請求項（抜粋）：

化学種が導入される表面の下に位置する少なくとも1つの局部領域を有する半導体サンプルを調査する装置であって、前記サンプルの表面及びその近傍の位置にてサンプルの光学定数の時間とともに変わる瞬間的な変化の少なくとも1つを誘導せしめ、光プローブビームを生成可能とする光学手段と、光学定数が変化する間に少なくとも前記光プローブビームに対する前記サンプルの反応を測定する測定手段と、化学種濃度、化学種のタイプ、注入エネルギ、前記位置にて導入された化学種領域の有無、注入に関連する損傷の有無のうちの少なくとも1つと測定された反応とを関連づける関連付手段とを有することを特徴とする装置。

IPC (5件)：

G01N 21/47 , G01N 21/41 , G01N 21/55 , G01N 21/59 , H01L 21/66

FI (5件)：

G01N 21/47 Z , G01N 21/41 Z , G01N 21/55 , G01N 21/59 Z , H01L 21/66 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

不純物ドーピング量測定方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210133 出願人：株式会社島津製作所
特開平3-129850
特開昭63-083634

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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