特許
J-GLOBAL ID：200903049171013750

有機電界効果トランジスタ

発明者：
大野 玲

大野 玲 について

, 
荒牧 晋司

荒牧 晋司 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-089957
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277202
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 漏れ電流や移動度の経時的劣化を抑制し安定性を高めた有機電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 有機半導体層4と有機半導体層4に接合したソース電極2及びドレイン電極3とを備えた有機電界効果トランジスタ1の、有機半導体層4とソース電極2及びドレイン電極3の少なくとも一方との接合面8,9に、オーミック接合面8A,9AとSchottky接合面8B,9Bと形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
有機半導体層と、該有機半導体層に接合したソース電極及びドレイン電極とを備えた有機電界効果トランジスタであって、 該有機半導体層と、該ソース電極及び該ドレイン電極の少なくとも一方との接合面が、オーミック接合面とSchottky接合面とを有することを特徴とする、有機電界効果トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/872 ,  H01L51/00
FI (10件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 654C ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/80 V
Fターム (73件)：
4M104AA08 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD81 ,  4M104DD96 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF11 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F102FA03 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HA03 ,  5F102HC11 ,  5F110AA14 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK18 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-333152   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
審査官引用 (4件)
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