半導体光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322264
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144377
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】非半導体基板上に設けられた、1μm以上の発光波長を有し、結晶性良好な半導体光素子を提供すること。【解決手段】LiNbO3単結晶基板1等の非半導体基板上に、In、Ga及びAlからなる群から選ばれた少なくとも1種のIII族元素と、As及びPからなる群から選ばれた少なくとも1種のV族元素とを含む半導体レーザ10を設け、この非半導体基板と半導体レーザ10との間に、In、Ga、Al及びTlからなる群から選ばれた少なくとも1種のIII族元素と、N又はOとからなるバッファー層を設けた半導体光素子。

請求項（抜粋）：

非半導体基板上に、In、Ga及びAlからなる群から選ばれた少なくとも1種のIII族元素と、As及びPからなる群から選ばれた少なくとも1種のV族元素とを含む光素子を有し、上記非半導体基板と上記光素子との間に、In、Ga及びAlからなる群から選ばれた少なくとも1種のIII族元素と、N又はOとからなるバッファー層を有することを特徴とする半導体光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/323 , G02F 1/035 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 5/323 , G02F 1/035 , H01L 33/00 B , H01L 33/00 A

Fターム (26件)：

2H079AA12 , 2H079BA03 , 2H079CA05 , 2H079DA03 , 2H079DA22 , 2H079EA03 , 2H079KA18 , 5F041AA11 , 5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041AA47 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA39 , 5F041CA46 , 5F041EE25 , 5F041FF14 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073AB12 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB08 , 5F073DA05 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-192625 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-192075 出願人：日本電気株式会社

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