特許
J-GLOBAL ID：200903047726251047

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
古嶋 裕司

古嶋 裕司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-192075
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045960
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性及び表面平滑性を改善し、信頼度の高い高輝度短波長半導体発光素子を歩留り良く安価に供給する。【解決手段】 サファイア基板あるいはSi基板1上に形成されたInxGayAl1-x-yN(但し0≦x≦1,0≦x+y≦1)層3を少なくとも1層含む半導体発光素子であって、基板1の表面にInxGayAl1-x-yN層3と格子整合が可能なZnOバッファ層2を成長させる。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に形成されたInxGayAl1-x-yN(但し0≦x≦1,0≦x+y≦1)層を少なくとも1層含む半導体発光素子であって、前記サファイア基板表面に堆積されたZnOバッファ層を含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01L 33/00 B ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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