特許
J-GLOBAL ID：200903049185607903
半導体メモリおよびメモリシステム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013650
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328950
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 ロウアクセスを高速に行うことにより、向上したパフォーマンスを有する半導体メモリを提供する。【解決手段】 半導体メモリ1000は、複数のメモリセル1004と、複数のメモリセル1004のうち、ロウアドレスとカラムアドレスとに対応するメモリセル1004にアクセスするアクセス部とを備えている。複数のメモリセル1004は、少なくとも1つの高速メモリセル1004aと少なくとも1つの低速メモリセル1004bとを含む。少なくとも1つの高速メモリセル1004aは、少なくとも1つの特定のカラムアドレスにそれぞれ割り当てられている。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルのうち、ロウアドレスとカラムアドレスとに対応するメモリセルにアクセスするアクセス部とを備え、前記複数のメモリセルは、第1のアクセス速度でアクセスされ得る少なくとも1つの第1のメモリセルと、第1のアクセス速度よりも早い第2のアクセス速度でアクセスされ得る少なくとも1つの第2のメモリセルとを含み、前記少なくとも1つの第2のメモリセルは、少なくとも1つの特定のカラムアドレスにそれぞれ割り当てられている、半導体メモリ。
IPC (4件)：
G11C 11/401
, G06F 12/06 522
, G11C 11/413
, G11C 11/41
G11C 11/34 371 Z
, G06F 12/06 522 A
, G11C 11/34 J
, G11C 11/34 301 E
, G11C 11/34 362 H
