特許
J-GLOBAL ID：200903049185957661
金属シリケート窒化膜の製造方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-341605
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156516
出願日： 2004年11月26日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】原子層蒸着法を用い、シリコン原子の層、酸素原子の層、金属原子の層、窒素原子の層等を吸着させて金属シリケート窒化膜を形成することで、比誘電率および耐熱性の優れた高性能なキャパシタ絶縁膜を得ることを可能とする。【解決手段】原子層蒸着法を用いて、シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に酸素原子の層を形成する工程を行う第1成膜サイクルS2と、シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に窒素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に窒素原子の層を形成する工程を行う第2成膜サイクルS3とを成膜の1サイクルとし、成膜の1サイクルを行った後に金属シリケート窒化膜の膜厚が所望の範囲内か否かを判定し、所望の膜厚になるまで、成膜の1サイクルを繰り返し行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
原子層蒸着法を用いて金属シリケート窒化膜を形成する金属シリケート窒化膜の製造方法であって、
シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に酸素原子の層を形成する工程のいずれも少なくとも一回以上行う第1成膜サイクルと、
シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に窒素原子の層を形成する工程および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に窒素原子の層を形成する工程のいずれも少なくとも一回以上行う第2成膜サイクルと
を備えたことを特徴とする金属シリケート窒化膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA14
, 4K030BA10
, 4K030BA40
, 4K030BB12
, 4K030EA03
, 5F058BA11
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BC09
, 5F058BD04
, 5F058BD05
, 5F058BD10
, 5F058BF06
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BF37
, 5F058BH01
, 5F058BJ04
