特許
J-GLOBAL ID：200903091414510451

原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法

発明者：
平野 智之

平野 智之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-117104
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318174
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 基板11上に原子層蒸着法を用いて薄膜を形成する方法であって、基板11の処理表面に金属原子の層を形成し(S104)、この金属原子の層上に酸素原子の層を形成する(S106)第1の工程と、基板の処理表面にシリコン原子の層を形成し(S108)、このシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する(S110)第2の工程とを有し、第1の工程および第2の工程のいずれかを先に行うことを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法である。
請求項（抜粋）：
基板上に原子層蒸着法を用いて薄膜を形成する方法であって、前記基板の処理表面に金属原子の層を形成し、この金属原子の層上に酸素原子の層を形成する第1の工程と、前記基板の処理表面にシリコン原子の層を形成し、このシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する第2の工程とを有し、前記第1の工程および前記第2の工程のいずれかを先に行うことを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/283 B ,  H01L 21/285 C ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (27件)：
4M104AA01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104GG08 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BE03 ,  5F058BF17 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BD16 ,  5F140BE05 ,  5F140BE09
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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