特許
J-GLOBAL ID：200903049198407814
不揮発性多値メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224382
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069294
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 回路構成を簡略化して、回路規模を小さくする。【解決手段】 入力デジタルデータを保持するデータレジスタ20、複数のアナログ電圧を出力する抵抗分割回路21、データレジスタの内容をデコードし複数のアナログ電圧のいずれかを選択的に出力するデコーダ22、デコード出力とメモリセルから読み出したアナログ量とを比較する比較器23を設け、書き込みモード時、データレジスタ20に書き込むべきデータを設定し、設定されたデータに対応するアナログ量をメモリセルに書き込み、読み出しモード時、所定値より順に更新されるデジタルデータをデータレジスタ20に順次設定し、設定毎に比較器23の比較動作を行わせ、比較結果に応じてデジタルデータの設定を停止して、メモリセルから読み出したアナログ量に対応するデジタルデータをデータレジスタに得る。
請求項（抜粋）：
入力されるデジタルデータを保持するデータレジスタと、複数のアナログ電圧を出力する電圧発生回路と、前記データレジスタの内容をデコードし該内容に対応して前記複数のアナログ電圧のいずれかを選択的に出力するデコーダと、多値のアナログ量を書き込み可能な不揮発性メモリセルと、該メモリセルから読み出したアナログ量に対応する電圧と前記デコーダの出力電圧とを比較する比較器と、該比較器の比較結果に応答して前記メモリセルへのアナログ量の書き込みを行う書き込み回路とを備えたことを特徴とする不揮発性多値メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 308
, G11C 11/56
審査官引用 (6件)
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特表平6-504156
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特開平3-237692
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-239135
出願人：新日本製鐵株式会社
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