化合物半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074779
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270792
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】エッチング量の変化に対して横モードが変化しないような素子構造を提供し、特性の揃ったリッジ導波型III族窒化物半導体レーザを効率よく製作することを可能にする。【解決手段】 III族窒化物半導体からなる半導体レーザにおいて、基板上に第1の導電型を有する第1クラッド層と、活性層と、第2の導電型を有する第2クラッド層と、第2の導電型を有するコンタクト層とが積層されており、かつ活性層上方構造の一部において第2クラッド層上部のみもしくは第2クラッド層上部ないしコンタクト層がリッジ状に形成された構造であって、リッジ部の両側に形成される絶縁性もしくは第1の導電型を有する埋込層がレーザの発振波長に対して透明で、かつ第2クラッド層と概略同じ屈折率を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体からなる半導体レーザにおいて、基板上に第1の導電型を有する第1クラッド層と、活性層と、第2の導電型を有する第2クラッド層と、第2の導電型を有するコンタクト層とが積層されており、かつ活性層上方構造の一部において第2クラッド層上部のみもしくは第2クラッド層上部ないしコンタクト層がリッジ状に形成された構造であって、リッジ部の両側に形成される絶縁性もしくは第1の導電型を有する埋込層がレーザの発振波長に対して透明で、かつ第2クラッド層と概略同じ屈折率を有することを特徴とする化合物半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-189243 出願人：株式会社日立製作所
半導体レーザ素子及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-041583 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-184973

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