特許
J-GLOBAL ID：200903049206228045
液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
明田 莞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135407
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008250
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【構成】 薄膜状の配線を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置を製造するに際し、合金成分としてTa及び/又はTiを総量で 0.5〜10at%含有するAl基合金により薄膜状の配線を形成し、且つ、この配線のパターニング工程の前または後に配線の熱処理を加熱速度:10°C/min 以上、加熱保持温度:250 〜500 °C、加熱保持時間:3〜60min にして行う。【効果】 高度に安定した耐ヒロック性を有し、且つ配線抵抗が小さい(20μΩcm以下)配線膜を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置が得られるようになる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の基板上に薄膜状の配線をスパッタリング等の物理蒸着法により形成する工程と、前記配線をパターニングする工程と、該パターニング工程の前または後に前記配線を熱処理する工程とを含む製造工程により、薄膜状の配線を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置を製造するに際し、前記薄膜状の配線を合金成分としてTa及び/又はTiを総量で 0.5〜10at%含有するAl基合金により形成し、且つ、前記配線の熱処理を加熱速度:10°C/min 以上、加熱保持温度:250 〜500 °C、加熱保持時間:3〜60min にして行うことを特徴とする液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
H01L 21/88 N
, H01L 29/78 311 A
