特許
J-GLOBAL ID：200903049215325380

薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法

発明者：
森島 裕司

森島 裕司 について

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山田 直樹

山田 直樹 について

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田中 伸一

田中 伸一 について


出願人/特許権者：
株式会社ADEKA

株式会社ADEKA について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077078
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254298
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】 13族金属を含有する薄膜を形成する場合に適した薄膜形成金属原料を提供する。【解決手段】 化学式ML3(式中、Mは、13族原子を表し、Lは、オクタン-2,4-ジオン残基、2,2-ジメチル-6-エチルデカン-3,5-ジオン残基又は、2,2,6,6-テトラメチル-1-(2-メトキシエトキシ)ヘプタン-3,5-ジオン残基を表す。)で表されるβ-ジケトン金属錯体を含有してなる薄膜形成用原料及びこれを用いた化学気相成長法による薄膜の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
化学式ML3(式中、Mは、13族原子を表し、Lは、オクタン-2,4-ジオン残基、2,2-ジメチル-6-エチルデカン-3,5-ジオン残基又は、2,2,6,6-テトラメチル-1-(2-メトキシエトキシ)ヘプタン-3,5-ジオン残基を表す。)で表されるβ-ジケトン金属錯体を含有してなる薄膜形成用原料。
IPC (5件)：
C07C 49/92 ,  C23C 16/40 ,  C07C 45/77 ,  C07F 5/06 ,  C07F 5/00
FI (6件)：
C07C49/92 ,  C23C16/40 ,  C07C45/77 ,  C07F5/06 D ,  C07F5/00 H ,  C07F5/00 J
Fターム (30件)：
4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB84 ,  4H006AB91 ,  4H006AB92 ,  4H006AC90 ,  4H006AD11 ,  4H048AA01 ,  4H048AA02 ,  4H048AB84 ,  4H048AB91 ,  4H048AB92 ,  4H048AC90 ,  4H048AD11 ,  4H048VA80 ,  4H048VA85 ,  4H048VA86 ,  4H048VB10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA21 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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