特許
J-GLOBAL ID：200903049290941282
光電子デバイスの性能を改善し、可用性を高めた共振反射器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-503093
公開番号（公開出願番号）：特表2002-506567
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 2002年02月26日
要約：
【要約】集積共振反射器を有する、VCSELデバイスやRCPDデバイスなどの光電子デバイスである。集積共振反射器を導電性にし、バイアス電流がその中を流れるようにすることができる。これにより、VCSELデバイスおよびRCPDデバイスの設計をよりフレキシブルにすることができる。共振反射器をさらに導電性にすると通常、共振反射器の全体的な反射率が低下するので、共振反射器を分布ブラッグ反射器(DBR)のミラーと組み合わせて設け、VCSELまたはRCPDの設計に望ましい全体の拡散反射率を達成することができる。広帯域幅の共振反射器を提供することもできる。帯域幅は、このようなデバイス間のデータ通信の信頼性を高めるのに十分に広くすることができ、また、適当なモード制御およびモード安定性を維持するのに十分に狭くすることもできる。これらのデバイスを使用して、偏光分割多重化、空間分割多重化、および/または波長分割多重化の利用分野をサポートすることができる。
請求項（抜粋）：
上部ミラーと底部ミラーを有するモノリシック光電子デバイスであって、 上部ミラーと底部ミラーの少なくとも一方と隣接して位置決めされた共振反射器を含むデバイス。
IPC (4件)：
H01S 5/183
, G02B 5/18
, H01L 31/0232
, H01L 33/00
H01S 5/183
, G02B 5/18
, H01L 33/00 M
, H01L 31/02 D
