特許
J-GLOBAL ID：200903049307621872

メモリ及びその記録方法

発明者：
大森 広之

大森 広之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-275463
公開番号（公開出願番号）：特開2006-092626
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 高速に情報を記録することができ、かつ信頼性の高いメモリを提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層4と、この記憶層4に対して非磁性層3を介して設けられ、磁化の向きが固定された磁化固定層2とを少なくとも有する記憶素子6と、非磁性層3を介して記憶層4と磁化固定層2との間に電流を流すための電流供給手段7と、記憶素子6に磁場を印加するための磁場印加手段8とを備えたメモリ10を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、前記記憶層に対して非磁性層を介して設けられ、磁化の向きが固定された磁化固定層とを少なくとも有する記憶素子と、 前記非磁性層を介して、前記記憶層と前記磁化固定層との間に電流を流すための電流供給手段と、 前記記憶素子に磁場を印加するための磁場印加手段とを備えた ことを特徴とするメモリ。
IPC (4件)：
G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (4件)：
G11C11/15 110 ,  G11C11/15 140 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (4件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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