特許
J-GLOBAL ID:200903049320853545
液晶素子材料とそれを用いた液晶素子と液晶素子材料の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-206226
公開番号(公開出願番号):特開2009-294631
出願日: 2008年08月08日
公開日(公表日): 2009年12月17日
要約:
【課題】液晶素子の高速度応答や温度依存性の改善を可能としながら、動作電圧の上昇及び電圧保持率の低下を抑制可能な液晶素子材料とそれを用いた液晶素子とその液晶素子材料の製造方法を提供することである。【解決手段】液晶母体11に高分子化合物14で保護したナノ粒子12を分散させたことを特徴とする液晶素子材料であり、また、高分子化合物14は、分子量が5,000以上であって、窒素原子(N),酸素原子(O),リン原子(P),イオウ原子(S)のいずれかを含む官能基を有するものである。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
液晶母体に高分子化合物で保護したナノ粒子を分散させたことを特徴とする液晶素子材料。
IPC (3件):
G02F 1/137
, G02F 1/139
, G02F 1/133
FI (3件):
G02F1/137 500
, G02F1/139
, G02F1/1334
Fターム (18件):
2H088GA02
, 2H088GA03
, 2H088GA04
, 2H088GA10
, 2H088GA18
, 2H088HA03
, 2H088HA08
, 2H088JA05
, 2H088MA10
, 2H088MA11
, 2H189AA03
, 2H189BA05
, 2H189CA03
, 2H189CA35
, 2H189HA16
, 2H189JA05
, 2H189LA05
, 2H189LA10
引用特許:
引用文献:
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