特許

J-GLOBAL ID：200903049343058513

シリコン酸化膜の製造方法

発明者： 村瀬 仁俊 ,  下 俊久 ,  野村 信福 ,  豊田 洋通 ,  山下 浩 ,  倉本 誠
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機 ,  国立大学法人愛媛大学
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-099536
公開番号（公開出願番号）：特開2006-274426
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】 シリコン酸化膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明のシリコン酸化膜の製造方法は、シリコーン化合物を含む液体L中に生じ内部にプラズマが発生した気泡Bを基材Sの表面に接触させて、基材Sの表面にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とする。 本発明のシリコン酸化膜の製造方法によれば、液体状態のシリコーン化合物を原料として用い、液体L中の基材Sの表面にシリコン酸化膜を成膜することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコーン化合物を含む液体中に生じ内部にプラズマが発生した気泡を基材の表面に接触させて、該基材の表面にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/40 ,  H05H 1/24

FI (3件)：

C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  H05H1/24

Fターム (17件)：

4K030AA06 ,  4K030BA44 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF41 ,  5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (6件)

• プラズマCVD膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-055356   出願人：株式会社神戸製鋼所
• フィルム成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-097265   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特開昭63-112429号公報
  
• 脆性材料微粒子成膜体の低温成形法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-256580   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 東陶機器株式会社
• 液中プラズマ発生装置および薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-313979   出願人：株式会社テクノネットワーク四国
• プラズマ電気めっき
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-541139   出願人：チャク・マン・トーマス・チャン