特許
J-GLOBAL ID:200903049343058513
シリコン酸化膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-099536
公開番号(公開出願番号):特開2006-274426
出願日: 2005年03月30日
公開日(公表日): 2006年10月12日
要約:
【課題】 シリコン酸化膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明のシリコン酸化膜の製造方法は、シリコーン化合物を含む液体L中に生じ内部にプラズマが発生した気泡Bを基材Sの表面に接触させて、基材Sの表面にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とする。 本発明のシリコン酸化膜の製造方法によれば、液体状態のシリコーン化合物を原料として用い、液体L中の基材Sの表面にシリコン酸化膜を成膜することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
シリコーン化合物を含む液体中に生じ内部にプラズマが発生した気泡を基材の表面に接触させて、該基材の表面にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。
IPC (3件):
C23C 16/50
, C23C 16/40
, H05H 1/24
FI (3件):
C23C16/50
, C23C16/40
, H05H1/24
Fターム (17件):
4K030AA06
, 4K030BA44
, 4K030BB03
, 4K030CA04
, 4K030CA05
, 4K030CA06
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030FA01
, 4K030LA01
, 4K030LA11
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BD04
, 5F058BF07
, 5F058BF41
, 5F058BJ04
引用特許: