特許
J-GLOBAL ID：200903049388465616
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-024467
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229450
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 コストの上昇を低減しながらパッド間隔の短縮及びパッドサイズの縮小に対応することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜3には、夫々開口部3aを含むようにしてすり鉢状の窪み3bが形成され、窪み3bの表面はアッシングにより意図的に粗面化されている。そして、各窪み3b内に、絶縁膜3よりも盛り上がるようにして金属配線層4が印刷法により形成され、更に、金属配線層4を被覆する無電解めっき膜5が形成されている。絶縁膜3の窪み3bの表面が粗面化されているので、絶縁膜3と金属配線層4との密着性が高い。また、金属配線層4が無電解めっき膜5により被覆されているので、金属配線層4の断線が生じにくいと共に、金属配線層4内の金属原子の移動によるマイグレーションの発生を未然に防ぐことが可能である。更に、無電解めっき膜5の存在により、高い半田濡れ性及び接続信頼性を確保することが可能である。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されたパッドと、前記半導体基板の表面を被覆し前記パッドに整合する位置に開口部が形成され前記開口部を含む領域にすり鉢状の窪みが形成された絶縁膜と、前記窪み内に形成され前記開口部を介して前記パッドに接続された金属配線層と、前記金属配線層を被覆する金属被覆膜と、を有し、前記絶縁膜の前記金属配線層と接触する領域の表面が前記絶縁膜のそれ以外の領域の表面よりも粗面化されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
, H01L 21/3205
H01L 21/60 301 P
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 602 J
5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033MM05
, 5F033PP26
, 5F033PP28
, 5F033VV07
, 5F033XX03
, 5F033XX05
, 5F044EE02
, 5F044EE06
, 5F044EE12
, 5F044EE13
, 5F044EE21
