特許
J-GLOBAL ID：200903074632290933
半導体集積回路装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052405
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244366
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 微細な配線の加工が可能で、且つ従来の装置と同様の機能も備えた低コストの半導体集積回路装置と、その製造方法とを提供する。【解決手段】 ICチップ2の回路形成面側に第1の電極パッド3が設けられ、該第1の電極パッド3上以外の領域に第1の絶縁層4が配置されている。該第1の絶縁層4上には、感光性を有する材料からなり、第1の電極パッド3の少なくとも一部と、配線6と、第2の電極パッド5の少なくとも一部とを露出させる開口部を有して、上記第1の絶縁層4上に配置された第2の絶縁層7が設けられており、上記配線6および第2の電極パッド5が、上記第2の絶縁層7の開口部に導電体の粒子を充填することにより形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路チップと、該半導体集積回路チップの回路形成面側に設けられた第1の電極と、上記半導体集積回路チップの回路形成面上に積層され、少なくとも上記第1の電極上の一部を開口する第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層上に配置され、一端部が上記第1の絶縁層の開口を介して上記第1の電極に接続し、他端部が外部接続用の第2の電極に接続された配線とを備えた半導体集積回路装置において、感光性を有する材料からなり、上記第1の電極の少なくとも一部と、上記配線と、上記第2の電極の少なくとも一部とを露出させる開口部を有して、上記第1の絶縁層上に配置された第2の絶縁層をさらに備え、上記配線および第2の電極が、上記第2の絶縁層の開口部に導電体の粒子を充填することにより形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 21/3205
, H01L 21/60
H01L 23/12 L
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 603 Z
, H01L 21/92 604 E
5F033HH11
, 5F033HH14
, 5F033PP26
, 5F033QQ73
, 5F033RR04
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033VV07
, 5F033XX33
