特許
J-GLOBAL ID：200903049408242899
半導体装備の空気流入装置及びこれを用いた化学物汚染除去方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-144819
公開番号（公開出願番号）：特開平11-114340
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【課題】 O3のような化学物の汚染が、半導体装備に流入されることを抑制しうる半導体装備の空気流入装置及びこれを用いた化学物汚染除去方法を提供する。【解決手段】 プリフィルター100と、空気吸入手段102のファンと、HEPAフィルター108とで構成された空気流入装置に炭素よりなる活性炭を胴体とする化学フィルター104をさらに構成して、空気流入装置を通して流入される空気中の化学物の汚染成分を除去する。このような半導体装置の空気流入装置を自然酸化膜に敏感な工程、例えば、HSG形成工程に使われるCVD装備に設けるとO3濃度を減少させて高いキャパシタンスが得られる。
請求項（抜粋）：
外部の空気を流入するための空気吸入手段と、前記空気吸入手段を通過した空気の化学物汚染成分を除去する化学フィルターと、前記化学フィルターを通過した空気の粒子汚染成分を除去するHEPAフィルターと、を順次に具備することを特徴とする半導体装備の空気流入装置。
IPC (5件)：
B01D 46/00
, B01D 53/04
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/31
B01D 46/00 Z
, B01D 53/04 A
, C23C 16/44 D
, H01L 21/205
, H01L 21/31 Z
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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