特許
J-GLOBAL ID：200903049408600809

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者：
西 恒寛

西 恒寛 について

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長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

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金生 剛

金生 剛 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-165085
公開番号（公開出願番号）：特開2003-064134
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：
【要約】【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位と、アダマンタン構造又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン構造を含む酸分解性保護基によって保護されたカルボン酸を有する繰り返し単位とを含む高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。R2は水素原子又は炭素数1〜8のアルキル基を示す。R3は水素原子又はCO2R4を示す。R4は炭素数1〜15のアルキル基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、アダマンタン構造又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン構造を含む酸分解性保護基によって保護されたカルボン酸を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。R2は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R3は水素原子又はCO2R4を示す。R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。)
IPC (4件)：
C08F220/26 ,  C08F220/12 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
C08F220/26 ,  C08F220/12 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (26件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC58Q ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (3件)

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