特許
J-GLOBAL ID：200903049419703421
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218497
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 高精細で発光効率の高い半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体基板1上に導電型の異なる下層半導体層Aと上層半導体層Bとを帯状に設け、この上層半導体層Bをさらに島状に分離し、この島状に分離した上層半導体層B上に電極9を設けた。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に導電型の異なる下層半導体層と上層半導体層とを帯状に設け、この上層半導体層をさらに島状に分離し、この島状に分離した上層半導体層上に電極を設けて成る半導体発光素子。
引用特許：
前のページに戻る
