特許
J-GLOBAL ID:200903049498171871
有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-195943
公開番号(公開出願番号):特開2009-054582
出願日: 2008年07月30日
公開日(公表日): 2009年03月12日
要約:
【課題】上部電極と下部電極との間に有機層を介して流れるリーク電流を抑制する有機EL素子を提供する。【解決手段】有機EL素子51は、バンク3で囲まれた画素領域11に形成されて少なくとも1層の発光層6を含む有機層9と、有機層9を挟んで形成された上部電極7及び下部電極2と、画素領域11とバンク領域13との間の境界領域12の上部電極7と下部電極2との間に形成され、画素領域11とバンク領域13との間の境界領域12の上部電極7と下部電極2との間に形成されたリーク電流ブロック層5とを備え、リーク電流ブロック層5の抵抗が、リーク電流ブロック層5と下部電極2との間の有機層9全体の抵抗よりも大きい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
バンクで囲まれた画素領域に形成されて少なくとも1層の発光層を含む有機層と、前記有機層を挟んで形成された上部電極及び下部電極と、前記画素領域とバンク領域との間の境界領域の前記上部電極と前記下部電極との間に形成されたリーク電流ブロック層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記リーク電流ブロック層の抵抗が、前記リーク電流ブロック層と前記下部電極との間の有機層全体の抵抗よりも大きい
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (7件):
H05B 33/22
, H01L 51/50
, H05B 33/12
, H05B 33/10
, G09F 9/30
, H01L 27/32
, G09F 9/00
FI (6件):
H05B33/22 Z
, H05B33/14 A
, H05B33/12 B
, H05B33/10
, G09F9/30 365Z
, G09F9/00 338
Fターム (33件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC29
, 3K107CC45
, 3K107DD89
, 3K107DD91
, 3K107DD96
, 3K107EE07
, 3K107FF04
, 3K107FF15
, 3K107GG08
, 3K107GG24
, 3K107GG28
, 5C094AA04
, 5C094AA21
, 5C094AA43
, 5C094BA01
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094DA15
, 5C094EA04
, 5C094FA02
, 5C094FB20
, 5C094GB10
, 5C094JA02
, 5C094JA08
, 5G435AA16
, 5G435AA17
, 5G435BB05
, 5G435CC09
, 5G435KK05
, 5G435KK10
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
有機EL素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-007762
出願人:シャープ株式会社
審査官引用 (6件)
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