誘電体多層反射膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102471
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298351
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】酸化物誘電体を構成材料として含むにも拘らず、特性の経時変化を生じない誘電体多層反射膜を提供する。【構成】半導体層を劈開またはエッチングした共振器1の光出射端面に、誘電体多層反射膜が形成されている。この誘電体多層反射膜は、最表面層102がMgF2からなり、最表面以外の層201が1種類以上の酸化物誘電体を構成材料として含んだものからなる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子の劈開またはエッチングされた共振器端面に設けられる誘電体多層反射膜であって、最表面層がMgF2からなり、該最表面層以外の層が1種類以上の酸化物誘電体を構成材料として含む誘電体多層反射膜。

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-018784
特開平4-133486
特開平4-207091

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審査官引用 (6件)

特開平4-018784
特開平4-133486
特開平4-207091

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