特許

J-GLOBAL ID：200903049535141970

半導体装置

発明者： 小野 敦 ,  千川 保憲
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338639
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164623
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 従来では、ウエハ製造工程の大幅な変更が必要となり、製造工程が複雑となる。多種多様のデバイスに適用するにはそれぞれのプロセス毎に層間膜の変更が必要となるが、層間膜の変更はデバイスの品質や特性への影響もあり、容易に変更は困難である。【解決手段】 半導体基板上に配線又は能動素子が形成され、層間絶縁膜を介して該配線又は能動素子上に電極パッドが形成されている半導体装置において、電極パッド表面上に、外部端子とのボンディング時の上記配線又は能動素子の保護のための突起電極が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に配線又は能動素子が形成され、層間絶縁膜を介して該配線又は能動素子上に電極パッドが形成されている半導体装置において、上記電極パッド表面上に、外部端子とのボンディング時における上記配線又は能動素子の保護のための突起電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/60 301 P

Fターム (7件)：

5F044EE01 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE11 ,  5F044KK08 ,  5F044NN07 ,  5F044QQ03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-014527
  
• 半導体装置の突起電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-055777   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-351102   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開平2-014527
  
• 半導体装置の突起電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-055777   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-351102   出願人：ソニー株式会社