特許
J-GLOBAL ID：200903049552159432

高比屈折率差光導波路の製造方法

発明者：
井本 克之

井本 克之 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045871
公開番号（公開出願番号）：特開平9-243846
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】コアの屈折率とクラッド層の屈折率との差が大きい高比屈折率差光導波路の製造方法を提供する。【解決手段】フッ素をドープしたSiO2 膜を用いてバッファ層21を形成した後コア膜22aを形成し、少なくとも1000°Cで熱処理を行い、その後フォトリソグラフィを施して略矩形断面形状のコア22を形成し、次いでフッ素をドープしたSiO2 膜をクラッド層23として形成する。
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を形成し、該バッファ層の上にコア膜を形成し、該コア膜に導波路のマスクパターンを用いてフォトリソグラフィを施して略矩形断面形状のコアを形成し、該コア及び上記バッファ層の上にクラッド層を形成する高比屈折率差光導波路の製造方法において、フッ素をドープしたSiO2 膜を用いて上記バッファ層を形成した後上記コア膜を形成し、少なくとも1000°Cで熱処理を行い、その後フォトリソグラフィを施して略矩形断面形状のコアを形成し、次いでフッ素をドープしたSiO2 膜をクラッド層として形成することを特徴とする高比屈折率差光導波路の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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