特許
J-GLOBAL ID：200903049575218835
ビルドアップ多層配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥田 誠 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088407
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289025
出願日： 1998年04月01日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ビルドアップ絶縁層の層数を少なくすることのできるビルドアップ多層配線基板を提供する。【解決手段】 表面及び裏面101Bを有するビルドアップ多層配線基板101は、コア基板102と、コア基板の表面側及び裏面側にそれぞれ同数積層されたビルドアップ絶縁層121〜124、151〜154と、表面側に形成された多数のICチップ接続パッド103と、ICチップ接続パッド相互間の間隔Picよりも広い間隔Ptmで、裏面側に形成された多数の接続端子104とを備える。さらに、ICチップ接続パッドから延びて接続端子にそれぞれ接続する多数の配線であって、平面視したときに、ICチップ接続パッド形成領域Sの略中央から周縁方向に向かってファンアウトする層間配線層172,173、182,183を有する多数のファンアウト配線Wの群を備える。
請求項（抜粋）：
表面及び裏面を有するビルドアップ多層配線基板であって、コア基板と、上記コア基板の上記表面側及び裏面側にそれぞれ略同数積層されたビルドアップ絶縁層と、上記表面側に形成された多数のICチップ接続パッドと、上記ICチップ接続パッドの間隔よりも広い間隔で、上記裏面側に形成された多数の接続端子と、上記ICチップ接続パッドから延びて上記接続端子にそれぞれ接続する配線であって、上記コア基板と上記ビルドアップ絶縁層との間、または各ビルドアップ絶縁層間に形成された層間配線層と、上記ビルドアップ絶縁層を貫通するビア導体と、上記コア基板を貫通するスルーホール導体と、を有する多数の配線と、を備えるビルドアップ多層配線基板において、上記配線は、隣接する上記ICチップ接続パッド同士の間隔よりも、隣接するスルーホール導体同士の間隔が、広くされた配線群と、隣接する上記ICチップ接続パッド同士の間隔と、隣接するスルーホール導体同士の間隔とが、略等しくされた配線群と、からなることを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 23/12 N
, H05K 3/46 B
, H05K 3/46 K
, H05K 3/46 N
