特許
J-GLOBAL ID：200903049577834509
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-238208
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083688
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 高速にかつ精度の高いデータプログラムが可能で、しかもディスターブマージンの大きい半導体不揮発性記憶装置を実現する。【解決手段】 プログラム動作がベリファイ読み出し動作を介して複数回のプログラム動作を繰り返し行うことによりなされるNAND型フラッシュメモリにおいて、段階電圧発生部5により出力されるプログラムワード線電圧VPP1〜VPPk、および段階電圧発生部6により出力される中間禁止電圧VM1〜VMkが、ともにプログラム回数kの増加にしたがって漸増する電圧値に設定され、しかも、前記中間禁止電圧のプログラム回数増加毎の各電圧漸増値は、前記プログラムワード線電圧のプログラム回数増加毎の各電圧漸増値の半分に設定される。これにより、高速にかつ精度の高いデータプログラムが可能になり、しかもディスターブマージンの悪化を除去できる。
請求項（抜粋）：
接続されたワード線およびビット線への印加電圧に応じて電気的にプログラム可能なメモリ素子が行列状に配置され、選択メモリ素子が接続されたワード線およびビット線に高電圧の第1のプログラム電圧および低電圧の第2のプログラム電圧のいずれかをそれぞれ印加して前記第1のプログラム電圧と第2のプログラム電圧とのプログラム電圧差により前記選択メモリ素子にデータプログラムを行い、非選択メモリ素子のワード線またはビット線の少なくともいずれか一方に前記第1のプログラム電圧よりは低く前記第2のプログラム電圧よりは高い電圧値に設定されたプログラム禁止電圧を印加して前記非選択メモリ素子へのデータプログラムを禁止する半導体不揮発性記憶装置であって、ベリファイ読み出し動作を介して複数回のプログラム動作を繰り返し行い、前記第2のプログラム電圧をプログラム回数にかかわらず一定の電圧値に設定し、かつ前記第1のプログラム電圧およびプログラム禁止電圧をともにプログラム回数の増加にしたがって漸増させる手段を有する半導体不揮発性記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 530 C
, G11C 17/00 510 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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