特許

J-GLOBAL ID：200903049602976348

非晶質シリコン系感光体形成装置および形成方法

発明者： 秋山 和敬
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-352018
公開番号（公開出願番号）：特開平10-168575
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】本発明は、高周波電力の放射を均一化し、プラズマの局在化を防ぎ、きわめて高品質な感光体を効率よく安価に形成することのできる非晶質シリコン系感光体の形成装置および形成方法を提供すること、とりわけ、ハーフトーンの均一性と高精細性に優れた電子写真用感光体の形成装置および形成方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、真空気密可能な反応容器内に、少なくとも、原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、前記円筒状の導電性基体の母線方向と平行に設置された高周波電力導入手段とを有し、前記高周波電力導入手段と前記基体との間でグロー放電を発生させることにより、前記反応容器内に導入された原料ガスを分解し、接地された円筒状の導電性基体上に堆積膜を形成する非晶質シリコン系感光体形成装置または方法において、前記高周波電力導入手段の両端部における静電容量を調節するようにしたことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

真空気密可能な反応容器内に、少なくとも、原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、前記円筒状の導電性基体の母線方向と平行に設置された高周波電力導入手段とを有し、前記高周波電力導入手段と前記基体との間でグロー放電を発生させることにより、前記反応容器内に導入された原料ガスを分解し、接地された円筒状の導電性基体上に堆積膜を形成する非晶質シリコン系感光体形成装置において、前記高周波電力導入手段が、該高周波電力導入手段の両端部における静電容量を調節する手段を備えていることを特徴とする非晶質シリコン系感光体形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-354878
  
• 堆積膜形成装置及びそれに用いられる電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-328719   出願人：キヤノン株式会社
• プラズマ処理装置及び処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-074030   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-354878