特許
J-GLOBAL ID：200903049605005009
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327575
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186082
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】半導体基板に再現性、制御性よく浅い不純物拡散領域を形成する。【構成】通常の製造方法でSi基板1上にゲート電極4まで形成後、自然酸化膜除去あるいは一定の厚さの酸化膜を堆積し、次でPSG膜5を堆積する。エッチバックしてサイドウォール5Aを形成後、基板温度300〜400°Cでプラズマ水素化処理してから650〜750°Cでアニール、あるいは基板温度600〜700°C程度にしてプラズマ水素化処理することによりソース7、ドレイン8を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に不純物を含む酸化膜を選択的に形成する工程と、前記シリコン基板に水素プラズマ処理と熱処理とを施し前記酸化膜から不純物を拡散させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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