半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井清暢
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146537
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306972
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】大口径半導体基板の減圧処理をするうえにおいて、ロードロック室の減圧、加圧に要する時間を最小とし、スループットを低下させることなく、半導体基板への防塵も同時に達成することのできる、新規な減圧、加圧手段を備えた半導体製造装置を提供する。【解決手段】低圧下でのプラズマ処理を行う処理室とそれに併設されるロードロック室を有する半導体製造装置において、ロードロック室の減圧動作を高速且つ、ごみの巻上げを起こさせることなく実行する為に、複数の圧力予備タンクを直列に接続した排気ラインと、同様にパージ動作を高速且つ、ごみの巻上げを起こさせることなく実行するめ、複数の容量の異なる圧力予備タンクを直列に接続したパージラインを設け、またそれとは別に、ロードロック室と真空ポンプおよびパージガス供給口をバルブのみを介して連結する排気ラインおよびパージラインをも合わせて設た装置。

請求項（抜粋）：

低圧下でプラズマ処理を行う処理室とそれに併設されるロードロック室を有する半導体製造装置において、ロードロック室を大気圧に戻すためのガスパージラインとロードロック室を大気圧から所定の真空度にするための真空排気ラインを備え、かつ、該各ラインと並列に夫々加圧、減圧の為の圧力容器を開閉バルブを介してロードロック室に接続されたラインを有する半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/68 A , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-178172 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-184333
特開平3-196520

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