シリコンダスト除去用ウェーハのグラインディング研磨装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115852
公開番号（公開出願番号）：特開平8-039407
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年02月13日
要約：

【要約】【目的】研磨部の中央部分から挿入される切削水の流れにより、ウェーハ全般に拡散されるシリコンダストを特定の領域に集中するように切削水の流れを調整し、洗浄部で洗浄時、研磨済のウェーハの裏面のみの洗浄によりウェーハの前面に依然として残るシリコンダストを除去するためにリムーバテープの接着力を改善してシリコンダストの除去をより容易にするウェーハのグラインディング研磨装置を提供する。【構成】ウェーハを装着するチャックテーブルとウェーハを研磨する研磨ホイールと研磨ホイールの摩擦部に切削水を供給する第1の切削水供給装置と任意に追加されて切削水を供給する第2の切削水供給装置とを有してウェーハの表面を滑らかにする研磨部と、ウェーハに残っているシリコンダストを洗浄する洗浄部と、研磨部と洗浄部とを制御する制御部とから構成される。

請求項（抜粋）：

シリコンダストを除去するウェーハ研磨装置において、ウェーハを装着するチャックテーブルと、ウェーハを研磨する研磨ホイールと、前記ウェーハおよび前記研磨ホイールの摩擦部に切削水を供給する第1の切削水供給装置と、任意に追加され設置される切削水を供給する第2の切削水供給装置とを有してウェーハの表面を滑らかにする研磨部と、ウェーハに残っているシリコンダストを洗浄する洗浄部と、前記研磨部と前記洗浄部とを制御する制御部とを備えたことを特徴とする、ウェーハのグラインディング研磨装置。

IPC (4件)：

B24B 7/22 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開平3-248532
半導体ウェーハの研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-115237 出願人：コマツ電子金属株式会社
特開平1-153273

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