Pbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又は CSP等のICパッケ-ジ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野政雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-249090
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068410
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【目的】本発明はPbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジに関するもので、電子機器に使用する各種の電子部品から有害なメッキ材料を除去して環境保護に役立つようにする。【構成】 Pbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジにおいて、 BGA又はCSP の接続端子部分にSn(錫)をベ-スとし、In(インジウム)、Zn(亜鉛),Bi(ビスマス),Ag(銀)のいずれか1種類を選択し、前記Snに対するInの含有率を3〜5%、Snに対するZnの含有率を10〜20%,Snに対するBiの含有率を5〜10%、Snに対するAg含有率を5〜7%に設定し、 220°C 前後の融点で合金メッキを施したことを特徴とするPbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジ。

請求項（抜粋）：

Pbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジにおいて、 BGA又はCSP の接続端子部分にSn(錫)をベ-スとし、In(インジウム)、Zn(亜鉛),Bi(ビスマス),Ag(銀)のいずれか1種類を選択し、前記Snに対するInの含有率を3〜5%、Snに対するZnの含有率を10〜20%,Snに対するBiの含有率を5〜10%、Snに対するAg含有率を5〜7%に設定し、 220°C 前後の融点で合金メッキを施したことを特徴とするPbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジ。

IPC (5件)：

H01L 23/12 , B23K 35/26 310 , H01L 21/60 311 , H05K 3/34 512 , H01L 21/60

FI (5件)：

H01L 23/12 L , B23K 35/26 310 D , H01L 21/60 311 S , H05K 3/34 512 C , H01L 21/92 603 B

Fターム (9件)：

4M105AA01 , 4M105AA18 , 4M105FF03 , 5E319AA03 , 5E319AB05 , 5E319BB04 , 5E319BB07 , 5E319CC33 , 5E319GG20

引用特許：

審査官引用 (7件)

無鉛はんだを使用する相互接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-299962 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置、回路基板及び電子回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-062209 出願人：富士通株式会社
無鉛半田およびその使用
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-336148 出願人：ヴィーラントウェルケアクチーエンゲゼルシャフト

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